我国自主研发芯片应用于特高压变电站二次设备

　　2021年7月13日，我国自主研发可控芯片应用于武汉1000千伏变电站二次设备，该电站于近日完成二次设备挂网招标。作为中国基建实力代表的特高压变电站，这是第一次应用自主可控芯片。该次应用对我国实现芯片自主可控具有重要意义。

　　武汉1000千伏变电站本期新建二次及通信设备25类，其中自动化、直流电源及辅助设备12类，保护设备10类，通信设备3类。自主可控芯片试点中，自动化、直流电源及辅助设备中5类进行试点，保护设备10类全部进行试点，通信设备中1类进行试点，共计试点芯片设备16类，自主可控芯片试用率为64%。

　　特高压变电站二次设备运行所处电磁环境恶劣，其对电站的安全、可靠运行具有重要意义。其中，可控芯片是电站二次装备核心器件，涉及电站关键装置，掌握着电站命脉。

　　此前，变电站二次及通信设备芯片以往均依赖进口，核心技术发展受到限制，国内缺乏自力更生的技术支持，形势不容乐观。

　　2020年9月，国网特高压事业部组织国网经济技术研究院、中国电力科学研究院、中南电力设计院有限公司等单位成立专项工作组，以武汉1000千伏变电站为试点，对武汉站采用自主可控芯片的二次设备开展系列专题研究。

　　工作组首先确定试用原则和试用方案，本期挂网试运行具备芯片自主可控条件的控制保护设备；对于其他二次、通信设备，已完成研发检测、能够满足投运时间要求的控制保护设备，均开展试用。

　　目前，绝大多数采用自主可控芯片的二次设备均可通过专项测试为推动自主可控芯片设备在电网工程中的应用落地。

　　武汉站自主可控芯片的大规模工业化应用，一方面将升级电力设备制造业；另一方面，标志着我国电力工控领域核心芯片从“进口通用”向“自主专用”转变，电力二次设备核心元器件做到了自主可控。此外，该芯片问世也将促进国内芯片行业的产业升级，从应用—反馈—升级到再应用的反复迭代，将促进自主可控芯片制造、芯片应用、芯片优化等的立体升级。